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申報承試五級資質(zhì)所需設備明細表采用高頻倍壓電路，*應用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論

申報承試四級資質(zhì)所需設備明細表采用高頻倍壓電路，*應用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論

申報承試三級資質(zhì)所需設備明細表采用高頻倍壓電路，*應用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論

申報承試二級資質(zhì)所需設備明細表采用高頻倍壓電路，*應用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論

承裝（修、試）一級試驗設備配置明細采用高頻倍壓電路，*應用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論